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硅浪涌电压抑制器
abb电力半导体器件在高浪涌电压下表现出令人称道的鲁棒性。然而，在某些应用领域，硅浪涌电压抑制器至今仍被作为对晶闸管在中小功率激增（例如10μs高达200kw）情况下的保护，从而使晶闸管拥有更小的缓冲电路以及较低电压的使用性能。
abb半导体的硅浪涌电压抑制器具有对称阻断及雪崩击穿的特点，在重复及非重复的过压情况下提供有效保护。数种产品可供备件或替换使用。
| part number | vr | tolerance | irm for base width | tvjm | rthjh | housing | |||
| ** = vr/100v | tvj =60°c | tvj =60°c | 10μs | 100μs | 1ms | 10ms | |||
| v | v | a | a | a | a | °c | k/kw | ||
| 5ssa 50r**00 | 500, 600 | ±60 | 500 | 135 | 33 | 7.5 | 125 | 600 | r |
| 5ssa 38r**00 | 700, 800 | ±60 | 380 | 100 | 25 | 4.5 | 125 | 600 | r |
| 5ssa 30r**00 | 900, 1000 | ±60 | 300 | 80 | 21 | 4 | 125 | 600 | r |
| 5ssa 26r**00 | 1100, 1200 | ±60 | 260 | 67 | 18 | 3.6 | 125 | 600 | r |
| 5ssa 23r**00 | 1300, 1400 | ±60 | 230 | 58 | 15 | 3.4 | 125 | 600 | r |
| 5ssa 20r**00 | 1500, 1600 | ±60 | 200 | 50 | 13 | 3 | 125 | 600 | r |
| 5ssb 50x**00 | 450, 550 | ±50 | 500 | 135 | 33 | 7.5 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 38x**00 | 650, 750 | ±50 | 380 | 100 | 25 | 4.5 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 30x**00 | 850, 950 | ±50 | 300 | 80 | 21 | 4 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 26x**00 | 1050, 1150 | ±50 | 260 | 67 | 18 | 3.6 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 23x**00 | 1250, 1350 | ±50 | 230 | 58 | 15 | 3.4 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 20x**00 | 1450, 1550 | ±50 | 200 | 50 | 13 | 3 | 125 | 500 | x |
| 5ssb 30x**00 | 1650, 1750, 1850, 1950 | ±50 | 300 | 80 | 21 | 4 | 125 | 250 | x |
| 5ssb 26x**00 | 2050, 2150, 2250, 2350 | ±50 | 260 | 67 | 18 | 3.6 | 125 | 250 | x |
| 5ssb 23x**00 | 2450, 2550, 2650, 2750 | ±50 | 230 | 58 | 15 | 3.4 | 125 | 250 | x |
| 5ssb 20x**00 | 2850, 2950 | ±50 | 200 | 50 | 13 | 3 | 125 | 250 | x |
** = vr/100v
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