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d20 frd芯片,与i20 igbt芯片一同研发,从而确保了frd与igbt的完美配合,以及芯片组的出色整体性能。此外,我们通过先进的发射极效率管理、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、优化的n-基底厚度与发射极和载流子寿命,以及特别设计的链接终端,实现了较低的frd损耗,也降低了igbt的通导损耗。