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igbt全称为绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor) ， 是由bjt(双极结型晶体三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件。igbt融合了bjt和mosfet的两种器件的优点， 如驱动功率小和饱和压降低等。

igbt是目前最主流、最核心的功率半导体器件，代表了功率半导体的最高技术水平，被称为电力电子领域的“cpu”。

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